金智
，博士
，中科院微电子所研究员
，博士生导师
，中国科学院“百人妄想”学者
，中科院微电子所超高频大功率化合物半导体集成手艺实验室主任
，《半导体学报》编委
，国家科技重大专项“集成电路制造装备、工艺、质料立异手艺研究”中“晶圆级石墨烯电子质料与器件研究”电子器件部分的总认真人。

主要从事III-V族半导体高频电子器件和电路的研究事情。在III-V族半导体质料中的位错成因、增殖机制
，质料生长
，工艺控制和III-V族化合物半导体器件的结构设计、物理机制和工艺研究方面取得许多有影响的研究效果：在海内率先研发乐成知足W波段（75-110 GHz）毫米波电路的需求的InP基双异质结构双极晶体管（DHBT）（相关事情在《人民网》中作为我国毫米波器件方面的突破性希望获得报道）。近几年来的研究重点是GaAs-、InP-基的外延层的结构设计、先进工艺制作以及基于这些器件的毫米波单片集成电路（MMIC）、数字电路和数�
；煜缏返纳杓啤⒐ひ蘸筒馐砸约笆┑缱悠骷芯�。共揭晓种种学术论文100余篇
，其中有国际著名杂志论文40余篇
，国际聚会论文30余篇
；申请专利20余项。